Em 1976, Zumsteg et al. usou um método hidrotérmico para cultivar um titanil fosfato de rubídio (RbTiOPO₄, referido como RTP) cristal. O cristal RTP é um sistema ortorrômbico, milímetrosGrupo de 2 pontos, P_{n / D21} grupo espacial, tem vantagens abrangentes de grande coeficiente eletro-óptico, alto limite de dano de luz, baixa condutividade, ampla faixa de transmissão, não deliquescente, baixa perda de inserção e pode ser usado para trabalho de alta frequência de repetição (até 100 kHz), etc. E não haverá marcas cinzas sob forte irradiação de laser. Nos últimos anos, tornou-se um material popular para a preparação de interruptores Q eletro-ópticos, especialmente adequado para sistemas a laser de alta taxa de repetição.

As matérias-primas do RTP se decompõem quando são derretidas e não podem ser cultivadas pelos métodos convencionais de extração por derretimento. Normalmente, fluxos são usados ​​para reduzir o ponto de fusão. Devido à adição de uma grande quantidade de fluxo nas matérias-primas,’É muito difícil cultivar RTP com tamanho grande e alta qualidade. Em 1990, Wang Jiyang e outros usaram o método de fluxo de autoatendimento para obter um cristal único RTP incolor, completo e uniforme de 15 milímetros×44 milímetros×34 mm, e conduziu um estudo sistemático sobre seu desempenho. Em 1992 Oseledchiket al. usou um método de fluxo de autoatendimento semelhante para cultivar cristais RTP com tamanho de 30 milímetros×40 milímetros×60 mm e alto limite de dano do laser. Em 2002 Kannan et al. usou uma pequena quantidade de MoO₃ (0,002 mol%) como o fluxo no método de semente superior para cultivar cristais RTP de alta qualidade com um tamanho de cerca de 20 milímetros. Em 2010, Roth e Tseitlin usaram [100] e [010] sementes direcionadas, respectivamente, para cultivar RTP de grande porte usando o método de semente de topo.

Em comparação com os cristais KTP, cujos métodos de preparação e propriedades eletro-ópticas são semelhantes, a resistividade dos cristais RTP é 2 a 3 ordens de magnitude maior (10⁸ Ω ·cm), então os cristais RTP podem ser usados ​​como aplicações de comutação EO Q sem problemas de danos eletrolíticos. Em 2008 Shaldinet al. usou o método de semente superior para cultivar um cristal de RTP de domínio único com resistividade de cerca de 0,5×10¹² Ω ·cm, o que é muito benéfico para EO Q-switches com maior abertura clara. Em 2015 Zhou Haitaoet al. relataram que os cristais RTP com comprimento do eixo a maior que 20 mm foram crescidos pelo método hidrotérmico, e a resistividade foi de 10¹¹~ 10¹² Ω ·cm. Como o cristal RTP é um cristal biaxial, ele é diferente do cristal LN e do cristal DKDP quando usado como um EO Q-switch. Um RTP no par deve ser girado 90°na direção da luz para compensar a birrefringência natural. Este projeto não requer apenas alta uniformidade óptica do próprio cristal, mas também requer que o comprimento dos dois cristais seja o mais próximo possível, para adquirir maior taxa de extinção do Q-switch.

Como excelente EO Q-switching material com alta frequência de repetição, cristal RTPs sujeito à limitação de tamanho o que não é possível para grandes abertura clara (a abertura máxima de produtos comerciais é de apenas 6 mm). Portanto, a preparação de cristais RTP com tamanho grande e alta qualidade assim como o Coincidindo técnica do Pares RTP ainda preciso grande quantidade de trabalho de pesquisa.